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ZDT749TA产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZDT749TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZDT749TA价格参考。Diodes Inc.ZDT749TA封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 25V 2A 160MHz 2.75W Surface Mount SM8。您可以下载ZDT749TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZDT749TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZDT749TA是Diodes公司生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列器件,主要应用于需要多个晶体管集成的电子电路中。该器件内部包含多个独立的BJT晶体管,通常为NPN或PNP型,适合用于放大、开关等基础电子功能。 其主要应用场景包括: 1. 逻辑电路与数字开关:由于其多个晶体管集成在一个封装中,适用于构建简单的逻辑门电路或数字开关控制电路,尤其在工业控制、自动化设备中应用广泛。 2. 电源管理与驱动电路:可用于小型电机驱动、LED驱动、继电器控制等场景,作为低功率开关元件使用。 3. 信号放大与处理:在音频放大、传感器信号调理等模拟电路中,作为前置放大或功率放大元件。 4. 嵌入式系统与消费类电子产品:如家用电器、智能仪表、玩具等,用于实现控制信号的放大与转换。 5. 汽车电子:用于车载控制系统中的信号处理与驱动控制,如车灯控制、传感器接口等。 ZDT749TA具有封装小、功耗低、可靠性高等优点,适合高密度PCB布局,广泛应用于中低功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 25V 2A 8SM两极晶体管 - BJT Dual PNP Medium Power |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZDT749TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZDT749TA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 200mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1A,2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SM8 |
| 其它名称 | ZDT749DKR |
| 其它图纸 |
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| 功率-最大值 | 2.75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 160 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-223-8 |
| 封装/箱体 | SM-8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双) |
| 最大功率耗散 | 2.75 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 70 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 at 50 mA at 2 V, 100 at 1 A at 2 V, 75 at 2 A at 2 V, 15 at 6 A at 2 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 35 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.23 V |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 频率-跃迁 | 160MHz |