Datasheet下载- 型号： MMDT5401-TP
- 制造商： MCC
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT5401-TP由MCC设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT5401-TP价格参考。MCCMMDT5401-TP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDT5401-TP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDT5401-TP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT5401-TP 是由 Micro Commercial Co. 生产的一款双极型晶体管 (BJT) 阵列，具体型号为 MMDT5401-TP。该器件主要应用于需要多个匹配晶体管的电路设计中，其应用场景包括但不限于以下方面： 1. 音频信号处理 - MMDT5401-TP 中的匹配晶体管可以用于音频放大器的设计，例如前置放大器或功率放大器中的差分对电路。 - 它可用于构建运算放大器的核心部分（如输入级），以实现低失真和高增益的音频信号放大。 2. 传感器信号调理 - 在传感器信号处理中，该晶体管阵列可用于信号放大、滤波和偏置调整。 - 例如，将微弱的传感器输出信号进行放大，以便后续处理或显示。 3. 模拟电路设计 - MMDT5401-TP 的匹配特性使其非常适合用于模拟电路中的差分放大器、电流镜和有源负载等结构。 - 这些电路广泛应用于精密测量设备、数据采集系统和工业控制领域。 4. 温度补偿电路 - 匹配晶体管在温度变化时具有相似的特性漂移，因此可以用于设计温度补偿电路。 - 这种特性在热敏应用（如温度传感器、热电偶信号调理）中尤为重要。 5. 电源管理 - 该晶体管阵列可用于设计线性稳压器中的误差放大器或参考电压生成电路。 - 在一些低功耗或便携式设备中，它可以帮助优化电源效率。 6. 通信与射频电路 - 虽然 MMDT5401-TP 不是专为高频设计的，但它可以在低频通信电路中用作信号放大或调制解调组件。 - 例如，在业余无线电设备或低频无线通信模块中，它可以作为信号处理的一部分。 7. 教育与实验 - 由于其封装紧凑且晶体管参数匹配良好，MMDT5401-TP 常被用于教学和实验环境中，帮助学生理解双极型晶体管的工作原理及其在实际电路中的应用。 总结来说，MMDT5401-TP 的主要优势在于其内部晶体管的高度匹配特性，这使得它在需要精确匹配和稳定性能的应用中表现出色。无论是消费电子、工业设备还是科研领域，这款器件都能发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 150V 200MA SOT363两极晶体管 - BJT -200mA -150V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Micro Commercial Components (MCC) |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Micro Commercial Components (MCC) MMDT5401-TP- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT5401-TP |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 10mA，5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24932 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | Transistors- Bipolar |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMDT5401-TPDKR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Micro Commercial Components (MCC) |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 系列 | MMDT54 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 160 V |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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