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  • 型号: PUMX1,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PUMX1,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PUMX1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMX1,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMX1,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP, SC-88。您可以下载PUMX1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMX1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PUMX1,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管(BJT)阵列,采用 SOT-363(SC-70-6)小型封装,内含两个独立的 NPN 晶体管(共发射极配置),具有低饱和电压、高增益(hFE 典型值 250)、低输入驱动电流等特点。其典型应用场景包括:

1. 逻辑电平转换与信号缓冲:在微控制器(如ARM、AVR、PIC)与外部中等负载(如LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极)之间提供电流放大与隔离,兼容1.8V–5V逻辑电平。

2. LED驱动阵列:常用于多路LED背光或状态指示灯控制,两路独立晶体管可分别驱动两组LED(每路最大连续集电极电流达100 mA),支持PWM调光。

3. 小型继电器/蜂鸣器驱动:驱动5V/12V低功耗电磁继电器或有源蜂鸣器,避免MCU GPIO直接承受感性负载反电动势。

4. 接口保护与电平整形:在通信接口(如I²C上拉增强、UART收发缓冲)中用作开漏输出扩展或信号整形,提升驱动能力与抗干扰性。

5. 便携式与空间受限设备:得益于SOT-363超小尺寸和无铅环保设计,广泛应用于智能手机配件、可穿戴设备、IoT传感器节点及工业模块等对PCB面积敏感的场景。

该器件不适用于高频开关(fₜ仅约100 MHz)或大功率应用,但凭借高集成度、可靠性和成熟工艺,在中低速数字接口与分立模拟前端中具有高性价比优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DUAL NPN 40V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PUMX1,115-

数据手册

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产品型号

PUMX1,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 1mA,6V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-6555-1

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

120 at 1 mA at 6 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

120 at 1 mA at 6 V

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

零件号别名

PUMX1 T/R

频率-跃迁

100MHz

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