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产品简介:
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BC847BDW1T3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT)阵列,属于小信号晶体管类别。其应用场景主要包括以下方面: 1. 开关电路: BC847BDW1T3G 适合用于低功率的开关应用,例如控制 LED、继电器或小型电机。它能够快速切换状态,提供稳定的开关性能。 2. 信号放大: 作为一款小信号晶体管,该型号可以用于音频信号放大、传感器信号放大等场景。其高增益特性(典型值为 420)使其非常适合需要放大微弱信号的应用。 3. 电平转换: 在数字电路中,该晶体管可用于实现不同电压电平之间的转换,例如将低电压逻辑信号转换为更高电压的驱动信号。 4. 保护电路: 可用作过流保护或短路保护电路中的关键元件。通过设计合适的偏置电路,晶体管可以在异常情况下切断电流路径,从而保护其他器件。 5. 脉冲调制和调制解调: 在通信设备中,该晶体管可用于生成或处理脉冲信号,支持简单的调制和解调功能。 6. 消费电子: 广泛应用于遥控器、玩具、家用电器等低功耗产品中,负责信号处理、驱动和控制任务。 7. 汽车电子: 在汽车内部的小型控制模块中,如车灯控制、风扇调节等,这款晶体管也能发挥作用,但需确保满足相关环境要求。 总之,BC847BDW1T3G 因其小型化封装(SOT-23)、低功耗特性和较高的电流增益,在各种低功率、小信号处理和开关应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 45V 100MA SOT363两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC847BDW1T3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC847BDW1T3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | BC847BDW1T3GOSDKR |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 380 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | BC847BDW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |