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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IMX9T110由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMX9T110价格参考。ROHM SemiconductorIMX9T110封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IMX9T110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMX9T110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号为IMX9T110的晶体管,属于双极型晶体管(BJT)阵列器件。该器件通常集成多个BJT晶体管在一个封装中,适用于需要多路晶体管控制的电路设计。 应用场景主要包括: 1. 电源管理与开关电路:IMX9T110可用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统中,实现对多路电源的高效控制。 2. 电机驱动电路:在小型电机或步进电机的驱动电路中,该器件可作为驱动晶体管使用,支持多个通道的同时控制。 3. LED照明控制:用于LED背光或多组LED灯串的开关控制,提供稳定可靠的电流放大和开关功能。 4. 工业自动化设备:在PLC、继电器驱动接口和传感器信号调理电路中,作为信号放大或隔离驱动元件使用。 5. 消费电子产品:如打印机、扫描仪、家用电器等产品中的多路负载控制电路。 由于其采用阵列结构,有助于减少PCB空间占用并简化电路设计,适合高密度和多通道控制的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL NPN 120V 500MA 6SMT两极晶体管 - BJT DUAL NPN 20V 500MA |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor IMX9T110- |
数据手册 | |
产品型号 | IMX9T110 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 20mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 560 @ 10mA,3V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SMT6 |
其它名称 | IMX9T110-ND |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 12 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
增益带宽产品fT | 350 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SC-74 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
最大功率耗散 | 300 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 2700 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 560 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
集电极—基极电压VCBO | 25 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.18 V |
集电极连续电流 | 500 mA |
频率-跃迁 | 350MHz |