| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6203-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6203-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH6203-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH6203-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH6203-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH6203-TL-E是安森美(ON Semiconductor)推出的一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,内部集成了两个匹配的NPN晶体管,采用小型化表面贴装封装(如SOT-563),适用于空间受限的高密度电路设计。该器件具有良好的热稳定性和电气匹配性,常用于需要高精度和一致性的模拟与数字电路中。 其主要应用场景包括:便携式消费类电子产品(如智能手机、平板电脑)中的信号切换与电平转换;电源管理电路中的驱动控制与电流镜设计;LED背光或照明系统的恒流驱动;以及各类小型电子设备中的放大与开关功能。由于其低饱和电压和快速开关特性,也广泛应用于高频开关电路和逻辑接口电路中。 此外,MCH6203-TL-E具备高可靠性和良好的温度性能,适合在工业控制、通信模块和传感器接口等环境中使用。其匹配的晶体管特性使其特别适用于差分放大器、有源滤波器等需要对称电路设计的场合。整体而言,该器件以小尺寸、高性能和高集成度,满足现代电子产品对微型化与高效能的双重需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 50V 1A 6MCPH两极晶体管 - BJT BIP NPN 1A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MCH6203-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MCH6203-TL-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 430mV @ 10mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 100mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-MCPH |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V, 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 420 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | MCPH6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN,PNP |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | MCH6203 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V, 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 50 V, 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 280 mV, 130 mV |
| 集电极连续电流 | 200 mA |
| 频率-跃迁 | 420MHz |