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  • 型号: PEMZ7,315
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PEMZ7,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMZ7,315价格参考。NXP SemiconductorsPEMZ7,315封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMZ7,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMZ7,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN/PNP 12V 500MA SOT666两极晶体管 - BJT 12V 300mW NPN/PNP gen purpose transist

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PEMZ7,315-

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产品型号

PEMZ7,315

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

220mV @ 10mA,200mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 10mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

934056714315

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

420 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-666

工厂包装数量

8000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

NPN,PNP

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

8,000

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

12 V

集电极—基极电压VCBO

15 V

集电极连续电流

500 mA

频率-跃迁

420MHz,280MHz

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