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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FFB5551由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FFB5551价格参考。Fairchild SemiconductorFFB5551封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FFB5551参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FFB5551 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为FFB5551的晶体管,属于安森美半导体(ON Semiconductor)生产的双极型晶体管(BJT)阵列器件。该器件通常用于需要高频率和高性能的电子电路设计中。 FFB5551常用于射频(RF)放大器和开关电路中,适用于通信设备、工业控制系统和消费类电子产品。由于其良好的高频特性,它在无线通信系统中作为功率放大器或信号放大器使用,能够有效提升信号强度而不引入过多噪声。 此外,该器件也适合用于电源管理和电机控制等应用,其高电流承载能力和快速开关特性使其在这些场景中表现出色。在汽车电子系统中,例如车载娱乐系统和传感器控制模块,FFB5551也可以提供稳定的性能。 总的来说,FFB5551凭借其高可靠性、优异的高频响应和紧凑的封装形式,广泛应用于对性能和空间都有要求的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 160V 200MA SC70-6两极晶体管 - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FFB5551- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FFB5551 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | FFB5551DKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 28 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | S-Mini |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 160V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | FFB5551 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 集电极连续电流 | 200 mA |
| 频率-跃迁 | 300MHz |