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  • 型号: FFB5551
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FFB5551由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FFB5551价格参考。Fairchild SemiconductorFFB5551封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FFB5551参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FFB5551 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为FFB5551的晶体管,属于安森美半导体(ON Semiconductor)生产的双极型晶体管(BJT)阵列器件。该器件通常用于需要高频率和高性能的电子电路设计中。

FFB5551常用于射频(RF)放大器和开关电路中,适用于通信设备、工业控制系统和消费类电子产品。由于其良好的高频特性,它在无线通信系统中作为功率放大器或信号放大器使用,能够有效提升信号强度而不引入过多噪声。

此外,该器件也适合用于电源管理和电机控制等应用,其高电流承载能力和快速开关特性使其在这些场景中表现出色。在汽车电子系统中,例如车载娱乐系统和传感器控制模块,FFB5551也可以提供稳定的性能。

总的来说,FFB5551凭借其高可靠性、优异的高频响应和紧凑的封装形式,广泛应用于对性能和空间都有要求的电子设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL NPN 160V 200MA SC70-6两极晶体管 - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FFB5551-

数据手册

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产品型号

FFB5551

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-70-6

其它名称

FFB5551DKR

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

28 mg

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

S-Mini

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

160V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

250

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

系列

FFB5551

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

160 V

集电极—基极电压VCBO

180 V

集电极连续电流

200 mA

频率-跃迁

300MHz

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