Datasheet下载- 型号： BC847BPN,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847BPN,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847BPN,135价格参考。NXP SemiconductorsBC847BPN,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BC847BPN,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC847BPN,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BC847BPN,135 是一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个 NPN 晶体管，采用 SOT363 小型封装，适用于高密度、空间受限的电路设计。该器件广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。 典型应用场景包括信号放大、开关控制和逻辑接口电路。在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中，常用于 LED 驱动、电源管理及传感器信号调理。由于其低噪声特性和良好的增益匹配，也适合用于音频前置放大或小信号处理电路。 在数字系统中，BC847BPN,135 可作为电平转换器或驱动晶体管，用于微控制器与外围设备之间的接口缓冲。此外，在电源开关电路或继电器驱动中，它可实现低功耗控制，提高系统能效。 该型号具有较高的击穿电压（VCEO=50V）和适中的电流承载能力（IC=100mA），工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），可在严苛环境下稳定运行，适用于工业自动化设备和汽车电子模块中的信号切换与保护电路。 综上，BC847BPN,135 凭借其小型化封装、高可靠性与多用途性能，成为现代电子设计中理想的通用型 BJT 阵列解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 45V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-11 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC847BPN,135- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC847BPN,135 |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934042530135 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 100 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | /T3 BC847BPN |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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