Datasheet下载- 型号： MAT03EHZ
- 制造商： Analog
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MAT03EHZ由Analog设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MAT03EHZ价格参考。AnalogMAT03EHZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MAT03EHZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MAT03EHZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MAT03EHZ 是由 Analog Devices Inc. 生产的一款双极性晶体管（BJT）阵列器件，广泛应用于需要高精度和稳定性的模拟电路设计中。该器件内部集成了多个匹配良好的晶体管，适用于对温度漂移和工艺变化敏感的电路。 其主要应用场景包括： 1. 差分放大器：利用内部匹配晶体管构建高性能差分放大电路，提升信号对比度和抗干扰能力。 2. 电流镜电路：在模拟集成电路中实现精确的电流复制与分配，保证电路工作的稳定性。 3. 运算放大器设计：作为输入级或增益级元件，用于构建高精度运算放大器。 4. 电压基准源：配合其他元件构建低漂移、高稳定性的参考电压源。 5. 传感器接口电路：用于放大微弱传感器信号，提高测量精度。 6. 电源管理电路：如DC-DC转换器中的开关控制部分，实现高效能电源调节。 由于其优异的匹配性能和温度稳定性，MAT03EHZ 特别适合于精密模拟系统、测试仪器、工业控制及航空航天等高可靠性要求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 36V 20MA TO78-6两极晶体管 - BJT HIGH-SPEED DUAL PNP TRANS |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Analog Devices |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Analog Devices MAT03EHZ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MAT03EHZ |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 100µA， 1mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | - |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-78-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Analog Devices |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-78-6 金属罐 |
| 封装/箱体 | TO-78 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.02 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 36V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 1 mA at 36 V, 90 at 100 uA at 36 V, 80 at 10 uA at 36 V |
| 系列 | MAT03 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 36 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 36 V |
| 频率-跃迁 | 190MHz |
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