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  • 型号: MMDT4146-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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MMDT4146-7-F产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT4146-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT4146-7-F价格参考。Diodes Inc.MMDT4146-7-F封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 25V 200mA 300MHz, 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载MMDT4146-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDT4146-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMDT4146-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列产品。该型号包含多个双极型晶体管单元,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景:

 1. 信号放大
   - MMDT4146-7-F 的 BJT 阵列可用于音频、射频或传感器信号的放大。由于其高增益特性,能够有效提升微弱信号的强度,同时保持较低的失真。

 2. 开关电路
   - 在数字电路中,该器件可以用作高速开关元件。例如,在 PWM 控制、LED 驱动或继电器控制等应用中,提供稳定的开关性能。

 3. 电源管理
   - 用于线性稳压器(LDO)或电流调节电路中,帮助实现精确的电压和电流控制。此外,还可用于过流保护和短路保护电路。

 4. 音频设备
   - 在音频放大器中,MMDT4146-7-F 能够提供高质量的声音输出,适合小型扬声器驱动或耳机放大器的设计。

 5. 通信设备
   - 在低功率射频(RF)模块中,该 BJT 阵列可以用于信号调制与解调,或者作为前端放大器的一部分。

 6. 工业控制
   - 应用于电机驱动、伺服控制系统或其他需要精确电流控制的场合。其高可靠性使其在工业环境中表现优异。

 7. 消费电子产品
   - 常见于遥控器、玩具、便携式设备等低功耗产品中,用以实现简单的逻辑控制或信号处理功能。

 总结
MMDT4146-7-F 凭借其紧凑的封装形式和高效的性能参数,广泛应用于需要多通道晶体管支持的场景。无论是信号处理还是功率控制,这款 BJT 阵列都能提供可靠且灵活的解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN/PNP 25V 200MA SOT363两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT4146-7-F-

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产品型号

MMDT4146-7-F

PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 2mA,1V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-363

其它名称

MMDT4146-FDIDKR

其它图纸

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

NPN,PNP

最大功率耗散

200 mW

最大直流电集电极电流

0.2 A

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

25V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

120

系列

MMDT4146

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

25 V

集电极—基极电压VCBO

30 V

频率-跃迁

300MHz,250MHz

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