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MMDT4146-7-F产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT4146-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT4146-7-F价格参考。Diodes Inc.MMDT4146-7-F封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 25V 200mA 300MHz, 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载MMDT4146-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDT4146-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT4146-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列产品。该型号包含多个双极型晶体管单元,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景: 1. 信号放大 - MMDT4146-7-F 的 BJT 阵列可用于音频、射频或传感器信号的放大。由于其高增益特性,能够有效提升微弱信号的强度,同时保持较低的失真。 2. 开关电路 - 在数字电路中,该器件可以用作高速开关元件。例如,在 PWM 控制、LED 驱动或继电器控制等应用中,提供稳定的开关性能。 3. 电源管理 - 用于线性稳压器(LDO)或电流调节电路中,帮助实现精确的电压和电流控制。此外,还可用于过流保护和短路保护电路。 4. 音频设备 - 在音频放大器中,MMDT4146-7-F 能够提供高质量的声音输出,适合小型扬声器驱动或耳机放大器的设计。 5. 通信设备 - 在低功率射频(RF)模块中,该 BJT 阵列可以用于信号调制与解调,或者作为前端放大器的一部分。 6. 工业控制 - 应用于电机驱动、伺服控制系统或其他需要精确电流控制的场合。其高可靠性使其在工业环境中表现优异。 7. 消费电子产品 - 常见于遥控器、玩具、便携式设备等低功耗产品中,用以实现简单的逻辑控制或信号处理功能。 总结 MMDT4146-7-F 凭借其紧凑的封装形式和高效的性能参数,广泛应用于需要多通道晶体管支持的场景。无论是信号处理还是功率控制,这款 BJT 阵列都能提供可靠且灵活的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN/PNP 25V 200MA SOT363两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT4146-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | MMDT4146-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 2mA,1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-363 |
其它名称 | MMDT4146-FDIDKR |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
系列 | MMDT4146 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
集电极—基极电压VCBO | 30 V |
频率-跃迁 | 300MHz,250MHz |