ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > ULN2003AFWG,O,N,E
Datasheet下载- 型号： ULN2003AFWG,O,N,E
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ULN2003AFWG,O,N,E由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ULN2003AFWG,O,N,E价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.ULN2003AFWG,O,N,E封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 1.25W 16-SOL。您可以下载ULN2003AFWG,O,N,E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ULN2003AFWG,O,N,E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ULN2003AFWG,O,N,E是东芝半导体（Toshiba Semiconductor and Storage）推出的一款高耐压、大电流达林顿晶体管阵列，属于双极性晶体管（BJT）阵列产品。该器件内部集成了7个NPN达林顿对管，每个通道均可承受高达50V的输出电压和500mA的持续电流，具备较强的负载驱动能力。 该型号广泛应用于需要将微弱控制信号转换为高电流输出的场景。典型应用包括：驱动继电器、步进电机或直流电机的控制电路，尤其常见于打印机、复印机、家用电器（如洗衣机、微波炉）中的电机控制模块；还可用于LED显示阵列、七段数码管、照明系统等多路低频开关控制场合。其内置的续流二极管可有效抑制感性负载（如继电器、电机）断电时产生的反向电动势，提高系统可靠性与稳定性。 ULN2003AFWG,O,N,E采用小型化贴片封装（如SOP20），适用于空间受限的高密度PCB设计，同时具备良好的热性能和电气隔离特性。由于其输入兼容TTL和5V CMOS电平，可直接与单片机、PLC或逻辑电路对接，无需额外电平转换，简化了设计流程。 综上，该器件适用于工业控制、消费电子、办公设备及自动化系统中需要多路高电流驱动的低频应用场景，具有高集成度、使用简便、可靠性高等优点。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS 7 NPN DARL 50V 500MA 16SOL |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ULN2003AFWG,O,N,E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.6V @ 500µA， 350mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 350mA，2V |
| 供应商器件封装 | 16-SOL |
| 其它名称 | ULN2003AFWG(O,NEHZCT |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | - |
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