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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PBSS5230PAP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5230PAP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5230PAP,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5230PAP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS5230PAP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5230PAP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS5230PAP,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-1061（DFN2020-6）小型封装，内含两个独立的 NPN 晶体管（双通道），具备高增益（hFE 典型值 300@Ic=100mA）、低饱和压降（VCE(sat) 低至 0.14V@Ic=100mA）和30V VCEO额定电压。其典型应用场景包括： - 中小功率开关电路：如LED驱动、继电器/电磁阀控制、电源使能信号切换等，得益于低饱和压降与快速开关特性（fT ≈ 180 MHz），可提升效率并减少发热。 - 信号放大与电平转换：在微控制器（如ARM、ESP32）输出接口中，用于放大GPIO弱驱动能力，实现5V/3.3V逻辑电平适配或驱动后续模拟/数字电路。 - 冗余/差分电路设计：双晶体管结构便于构建镜像电流源、差分对、推挽输出或备份切换电路，提升系统可靠性。 - 空间受限的便携设备：超小型DFN封装适合智能穿戴、TWS耳机、IoT传感器节点等对PCB面积敏感的应用。 该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准（部分批次），亦适用于工业控制及消费电子中需稳定、紧凑、高性价比BJT阵列的场景。注意其无内置基极电阻，需外接偏置电阻以确保可靠导通与关断。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 30V 2A 6HUSON两极晶体管 - BJT 30V 2A PNP/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5230PAP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5230PAP,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 420mv @ 100mA， 2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 1A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10208-6 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 95 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 370 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 260 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 75 mV |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 频率-跃迁 | 95MHz |
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