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  • 型号: PBSS4160DPN,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4160DPN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4160DPN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4160DPN,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 870mA, 770mA 220MHz, 185MHz 420mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBSS4160DPN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4160DPN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN/PNP 60V 6TSOP LOW SAT两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4160DPN,115-

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产品型号

PBSS4160DPN,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 100mA,1A / 330mV @ 100mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 500mA,5V / 150 @ 500mA,5V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

568-4352-6

功率-最大值

420mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

185 MHz, 220 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

SC-74-6

工具箱

/product-detail/zh/3806620/NXPBISS1-KIT-ND/1841807

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

NPN,PNP

最大功率耗散

290 mW, 420 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

+/- 2 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

870mA,770mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流电流增益hFE最大值

250 at 1 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极连续电流

1 A, - 900 mA

零件号别名

PBSS4160DPN T/R

频率-跃迁

220MHz,185MHz

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