ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > PBSS4160DPN,115
Datasheet下载- 型号： PBSS4160DPN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4160DPN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4160DPN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4160DPN,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 870mA, 770mA 220MHz, 185MHz 420mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBSS4160DPN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4160DPN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4160DPN,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-1205（DFN2020-6）封装，内含两个独立的 NPN 晶体管，具备高增益（hFE 典型值 300@IC=50mA）、低饱和压降（VCE(sat) 低至 170mV@IC=500mA）、高集电极电流能力（IC=600mA）及良好热性能。其典型应用场景包括： - 中小功率开关电路：如电源管理中的负载开关、LED 驱动控制、继电器/电磁阀驱动等，双通道结构便于紧凑设计； - 数字逻辑接口与电平转换：在微控制器（MCU）或 FPGA 输出端，用作信号缓冲、反相或开漏输出扩展，兼容 3.3V/5V 系统； - 电机驱动模块：适用于小型直流有刷电机（如风扇、玩具电机）的 H 桥预驱或单向控制； - 工业与消费类电子：如打印机、家电控制板、传感器信号调理电路中的多路信号放大或开关切换。 该器件支持无铅回流焊，符合 AEC-Q100 车规级可靠性标准（Grade 1），亦可用于对可靠性要求较高的工业环境。其小尺寸、高集成度和低功耗特性，特别适合空间受限且需双路独立控制的便携式或嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 60V 6TSOP LOW SAT两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4160DPN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4160DPN,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-4352-6 |
| 功率-最大值 | 420mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 185 MHz, 220 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/3806620/NXPBISS1-KIT-ND/1841807 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 290 mW, 420 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | +/- 2 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 870mA，770mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极连续电流 | 1 A, - 900 mA |
| 零件号别名 | PBSS4160DPN T/R |
| 频率-跃迁 | 220MHz，185MHz |
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