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  • 型号: PBSS4112PAN,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBSS4112PAN,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4112PAN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4112PAN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4112PAN,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 1A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)。您可以下载PBSS4112PAN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4112PAN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PBSS4112PAN,115 的晶体管属于双极型晶体管(BJT)阵列类别。这种器件通常用于需要高效开关和信号放大的应用场景中,以下是其主要的应用场景:

 1. 电源管理
   - PBSS4112PAN,115 可用于各种电源管理电路,例如直流-直流转换器、线性稳压器和负载开关等。其高效的开关性能可以实现低功耗和高效率的能量传输。

 2. 电机驱动
   - 在小型电机控制中,该晶体管可用于驱动直流电机或步进电机。它能够提供足够的电流来启动和控制电机,并支持快速的开关操作以调节速度和方向。

 3. 信号放大
   - 这种 BJT 阵列适用于音频信号放大器和其他模拟信号处理电路。通过将输入信号放大到所需的输出水平,PBSS4112PAN,115 能够在音频设备、传感器接口等领域发挥作用。

 4. 继电器驱动
   - 在需要控制电磁继电器的电路中,该晶体管可以用作驱动器。它的高电流承载能力和快速响应特性使其成为理想选择。

 5. LED 驱动
   - 对于多通道 LED 照明系统,PBSS4112PAN,115 可以用作驱动器以控制多个 LED 的亮度和状态。其阵列结构允许同时管理多个独立的 LED 通道。

 6. 保护电路
   - 在过流保护、短路保护等安全功能中,该晶体管可以用作开关元件。当检测到异常情况时,它可以迅速切断电路以避免损坏其他组件。

 7. 消费电子
   - 此类晶体管广泛应用于家用电器、遥控器、玩具以及便携式电子设备中,作为开关或放大元件来执行基本功能。

总之,PBSS4112PAN,115 凭借其紧凑的设计、优异的电气特性和可靠性,在多种工业、汽车和消费类电子产品中都有广泛应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN/PNP 120V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 120V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4112PAN,115-

数据手册

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产品型号

PBSS4112PAN,115

PCN封装

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

120mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 500mA, 2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-HUSON(2X2)

其它名称

568-10195-6

功率-最大值

510mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

120 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-UDFN 裸露焊盘

封装/箱体

DFN2020-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN,PNP

最大功率耗散

1450 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762

电压-集射极击穿(最大值)

120V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

375

直流集电极/BaseGainhfeMin

240

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

120 V

集电极—基极电压VCBO

120 V

集电极—射极饱和电压

90 mV

集电极连续电流

1 A

频率-跃迁

120MHz

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