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PBSS4112PAN,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4112PAN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4112PAN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4112PAN,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 1A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)。您可以下载PBSS4112PAN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4112PAN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PBSS4112PAN,115 的晶体管属于双极型晶体管(BJT)阵列类别。这种器件通常用于需要高效开关和信号放大的应用场景中,以下是其主要的应用场景: 1. 电源管理 - PBSS4112PAN,115 可用于各种电源管理电路,例如直流-直流转换器、线性稳压器和负载开关等。其高效的开关性能可以实现低功耗和高效率的能量传输。 2. 电机驱动 - 在小型电机控制中,该晶体管可用于驱动直流电机或步进电机。它能够提供足够的电流来启动和控制电机,并支持快速的开关操作以调节速度和方向。 3. 信号放大 - 这种 BJT 阵列适用于音频信号放大器和其他模拟信号处理电路。通过将输入信号放大到所需的输出水平,PBSS4112PAN,115 能够在音频设备、传感器接口等领域发挥作用。 4. 继电器驱动 - 在需要控制电磁继电器的电路中,该晶体管可以用作驱动器。它的高电流承载能力和快速响应特性使其成为理想选择。 5. LED 驱动 - 对于多通道 LED 照明系统,PBSS4112PAN,115 可以用作驱动器以控制多个 LED 的亮度和状态。其阵列结构允许同时管理多个独立的 LED 通道。 6. 保护电路 - 在过流保护、短路保护等安全功能中,该晶体管可以用作开关元件。当检测到异常情况时,它可以迅速切断电路以避免损坏其他组件。 7. 消费电子 - 此类晶体管广泛应用于家用电器、遥控器、玩具以及便携式电子设备中,作为开关或放大元件来执行基本功能。 总之,PBSS4112PAN,115 凭借其紧凑的设计、优异的电气特性和可靠性,在多种工业、汽车和消费类电子产品中都有广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN/PNP 120V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 120V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4112PAN,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PBSS4112PAN,115 |
PCN封装 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 120mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 500mA, 2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-HUSON(2X2) |
其它名称 | 568-10195-6 |
功率-最大值 | 510mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 120 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | DFN2020-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 1450 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
电压-集射极击穿(最大值) | 120V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
直流电流增益hFE最大值 | 375 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 240 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 120 V |
集电极—基极电压VCBO | 120 V |
集电极—射极饱和电压 | 90 mV |
集电极连续电流 | 1 A |
频率-跃迁 | 120MHz |