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Datasheet下载- 型号： PBSS4112PAN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBSS4112PAN,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4112PAN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4112PAN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4112PAN,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 1A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)。您可以下载PBSS4112PAN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4112PAN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4112PAN,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能 NPN 低饱和电压（Low VCE(sat)）双极结型晶体管（BJT），虽常被归类于“专用IC”广义范畴，实为高可靠性分立功率晶体管（符合JEDEC标准，采用SOT1215封装）。其典型应用场景包括： - 中等功率开关电路：如DC-DC转换器（Buck/Boost拓扑）中的同步整流辅助开关、负载开关或栅极驱动级，得益于其超低饱和压降（典型值仅0.16V @ IC=1A, IB=100mA），可显著降低导通损耗、提升能效。 - 工业与汽车电子控制单元（ECU）：用于驱动继电器、LED灯组、小型电机（如车窗升降、风扇调速）、电磁阀等感性负载，具备AEC-Q101认证，满足汽车级可靠性要求（工作结温达175°C）。 - 电源管理模块：在智能电表、PLC模块、IoT网关等嵌入式设备中，作为高效线性稳压辅助开关或电池充放电路径控制开关。 - 高密度PCB设计场景：SOT1215（0.8×1.3mm）微型无引脚封装，支持高精度贴装与优异热传导，适用于空间受限的便携设备及车载模块。 注意：该器件非数字逻辑IC或SoC，而是面向功率开关优化的专用晶体管，强调低功耗、高鲁棒性与汽车级可靠性。选型时需配合合理基极驱动与散热设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 120V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 120V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4112PAN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4112PAN,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 120mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 500mA， 2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10195-6 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 375 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 240 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 120 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 90 mV |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
