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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT3906V-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT3906V-7价格参考。Diodes Inc.MMDT3906V-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMDT3906V-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDT3906V-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT3906V-7是Diodes Incorporated生产的一款双极型晶体管(BJT)阵列器件,主要由两个PNP型晶体管组成,常用于需要高稳定性和集成度的模拟和数字电路中。该器件封装小巧,适合高密度电路设计,广泛应用于以下场景: 1. 信号放大电路:适用于音频、射频等小信号放大场合,作为前置放大器或驱动放大器使用。 2. 开关控制电路:在数字电路中用作高速开关元件,控制负载的通断,如LED驱动、继电器控制等。 3. 逻辑电平转换:用于不同电压系统之间的信号转换,实现接口兼容。 4. 传感器信号调理:在工业控制和传感器系统中,用于放大和处理传感器输出的微弱信号。 5. 电源管理电路:用于稳压器、电流源、负载开关等电源相关设计中,提供稳定控制。 6. 消费类电子产品:如手机、平板、智能穿戴设备中,用于功率控制、信号处理等功能模块。 MMDT3906V-7因其高可靠性和小尺寸封装,特别适用于对空间和性能要求较高的便携式电子设备和自动化控制系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL PNP 40V 200MA SOT563两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT3906V-7- |
数据手册 | |
产品型号 | MMDT3906V-7 |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-563 |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 250 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-563 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 2 PNP(双) |
最大功率耗散 | 150 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
系列 | MMDT3906 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 40 V |
频率-跃迁 | 250MHz |