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产品简介:
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NSV40301MDR2G是安森美(ON Semiconductor)推出的一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,内部集成了两个匹配的NPN晶体管。该器件专为高可靠性与高温环境下的应用设计,常用于汽车电子、工业控制和电源管理系统中。 典型应用场景包括: 1. 汽车电子系统:如车身控制模块、电机驱动、继电器驱动和LED照明控制。其AEC-Q101车规认证确保在严苛温度范围(-55°C至150°C)下稳定运行,适用于引擎舱内电子单元。 2. 电源管理电路:作为达林顿对或推挽输出级,用于DC-DC转换器、电压调节器中的开关与放大功能,提升能效与响应速度。 3. 信号放大与逻辑接口:在工业传感器、PLC输入/输出模块中实现小信号放大或电平转换,增强系统抗干扰能力。 4. 冗余与匹配需求场景:由于两个晶体管在同一芯片上制造,具有良好的热耦合与参数匹配性,适合差分放大、电流镜等精密模拟电路。 NSV40301MDR2G采用SOT-223封装,散热性能好,适合紧凑型高功率密度设计。其高增益、低饱和电压特性有助于降低功耗,提高系统效率。广泛应用于需高可靠性和环境耐受力的领域,尤其受到汽车和工业市场青睐。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 40V 6A 8SOIC |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSV40301MDR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 115mV @ 200mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 180 @ 2A,2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 653mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 频率-跃迁 | 100MHz |