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  • 型号: NSV40301MDR2G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSV40301MDR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV40301MDR2G价格参考。ON SemiconductorNSV40301MDR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSV40301MDR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSV40301MDR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSV40301MDR2G是安森美(ON Semiconductor)推出的一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,内部集成了两个匹配的NPN晶体管。该器件专为高可靠性与高温环境下的应用设计,常用于汽车电子、工业控制和电源管理系统中。

典型应用场景包括:  
1. 汽车电子系统:如车身控制模块、电机驱动、继电器驱动和LED照明控制。其AEC-Q101车规认证确保在严苛温度范围(-55°C至150°C)下稳定运行,适用于引擎舱内电子单元。  
2. 电源管理电路:作为达林顿对或推挽输出级,用于DC-DC转换器、电压调节器中的开关与放大功能,提升能效与响应速度。  
3. 信号放大与逻辑接口:在工业传感器、PLC输入/输出模块中实现小信号放大或电平转换,增强系统抗干扰能力。  
4. 冗余与匹配需求场景:由于两个晶体管在同一芯片上制造,具有良好的热耦合与参数匹配性,适合差分放大、电流镜等精密模拟电路。  

NSV40301MDR2G采用SOT-223封装,散热性能好,适合紧凑型高功率密度设计。其高增益、低饱和电压特性有助于降低功耗,提高系统效率。广泛应用于需高可靠性和环境耐受力的领域,尤其受到汽车和工业市场青睐。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN BIPO 40V 6A 8SOIC

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NSV40301MDR2G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

115mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

180 @ 2A,2V

供应商器件封装

*

功率-最大值

653mW

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

晶体管类型

2 NPN(双)

标准包装

2,500

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

频率-跃迁

100MHz

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