Datasheet下载- 型号： FMB5551
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FMB5551由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMB5551价格参考。Fairchild SemiconductorFMB5551封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FMB5551参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMB5551 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMB5551是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），常用于通用放大和开关应用。它属于低成本、高性能的分立晶体管，适合广泛应用场景。 FMB5551常见应用场景包括： 1. 音频放大电路：作为前置放大器或音频信号放大器，用于音响设备、麦克风放大器等； 2. 开关电路：在数字电路或电源控制中作为电子开关使用，例如驱动继电器、LED、小型电机等负载； 3. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压器中的控制部分，辅助实现电源调节； 4. 接口电路：在微控制器与外围设备之间进行信号电平转换或电流增强； 5. 传感器驱动：用于传感器信号的放大与处理，如温度、压力等模拟信号的初步放大； 6. 消费电子产品：广泛应用于家电、玩具、小家电等产品中，实现控制与信号处理功能； 7. 工业控制：在自动化设备中用于信号放大、继电器驱动及控制电路中。 FMB5551因其高增益、良好的频率响应和稳定性，以及低成本优势，成为许多通用电子设计中的首选晶体管之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 160V 600MA 6SSOT两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FMB5551- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FMB5551 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FMB5551CT |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 0.7 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 160V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | FMB5551 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.2 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 零件号别名 | FMB5551_NL |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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