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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847DS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847DS,115价格参考。NXP SemiconductorsBC847DS,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC847DS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC847DS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BC847DS,115 是一款双极性晶体管(BJT)阵列,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 信号放大 - BC847DS,115 可用于音频、射频和其他信号的放大。它能够将微弱的输入信号增强到更高的幅度,适用于低功率音频设备或传感器信号放大。 2. 开关电路 - 该型号的 BJT 阵列可以用作电子开关,在数字电路中实现逻辑控制。例如,驱动继电器、LED 或小型电机等负载。 3. 电源管理 - 在电源管理模块中,BC847DS,115 可用作电流调节器或电压稳定器的一部分,帮助维持输出电压或电流的稳定性。 4. 保护电路 - 它可以用于过流保护、短路保护或反向电压保护电路中,确保系统在异常情况下安全运行。 5. 多通道应用 - 由于是晶体管阵列,BC847DS,115 内部集成了多个晶体管,适合需要多通道控制的应用场景,如多路信号处理或并行驱动。 6. 消费电子产品 - 该器件常用于遥控器、玩具、家用电器等低功耗消费电子产品中,提供稳定的性能和可靠性。 7. 工业控制 - 在工业自动化领域,可用于传感器接口、信号调理电路以及小型执行器的驱动。 总结 BC847DS,115 的小尺寸、低功耗和高集成度使其成为便携式设备和紧凑型设计的理想选择。其典型应用场景包括信号放大、开关控制、电源管理和多通道电路设计等,适用于广泛的电子设备和系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 45V 100MA 6TSOP两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC847DS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC847DS,115 |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 934063469115 |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 200 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 110 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |