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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供EMZ2T2R由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMZ2T2R价格参考。ROHM SemiconductorEMZ2T2R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载EMZ2T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EMZ2T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的EMZ2T2R是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要多个晶体管集成的电子电路设计中。该器件在电子应用中具有广泛的适用性,主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:EMZ2T2R可用于DC-DC转换器、稳压器等电源管理电路中,作为开关元件使用,帮助提高电源转换效率。 2. 电机驱动电路:该晶体管阵列可应用于小型电机的驱动控制,适用于家用电器、办公设备和小型自动化设备中。 3. 逻辑电路与接口电路:由于其集成多个晶体管,EMZ2T2R适用于构建逻辑门、电平转换器及信号接口电路,广泛用于数字系统中。 4. 传感器信号调理:在传感器模块中,该器件可用于信号放大、开关控制等,适用于工业控制和测量设备。 5. LED驱动:EMZ2T2R可用于LED背光、指示灯等驱动电路,提供稳定的电流控制。 6. 汽车电子系统:如车载控制单元、车灯控制模块等,满足汽车电子对可靠性和稳定性的高要求。 综上,EMZ2T2R凭借其集成化设计和良好的电气性能,适用于多种中低功率电子系统,广泛用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN/PNP 50V 150MA 6EMT两极晶体管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor EMZ2T2R- |
数据手册 | |
产品型号 | EMZ2T2R |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | EMT6 |
其它名称 | EMZ2T2RCT |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 7 V, - 6 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
增益带宽产品fT | 180 MHz, 140 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | EMT-6 |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 150 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 560 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.4 V, - 0.5 V |
集电极连续电流 | 150 mA |
频率-跃迁 | 180MHz,140MHz |