Datasheet下载- 型号： NST3904DP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NST3904DP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST3904DP6T5G价格参考。ON SemiconductorNST3904DP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NST3904DP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NST3904DP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NST3904DP6T5G 是一款来自 ON Semiconductor（安森美半导体）的双极性晶体管（BJT）阵列。该型号由多个 NPN 和 PNP 晶体管组成，广泛应用于需要多通道信号放大、开关控制或复杂电路设计的场景。以下是其主要应用场景： 1. 音频和信号放大 - NST3904DP6T5G 的 BJT 阵列可以用于音频设备中的小信号放大，例如麦克风前置放大器、耳机放大器等。 - 其低噪声特性和高增益性能使其适合处理弱信号的放大任务。 2. 开关电路 - 在数字电路中，该器件可以用作开关元件，控制电流的通断。例如，用于继电器驱动、LED 控制或小型电机驱动。 - 它能够实现多路独立开关功能，适用于多通道输出的应用场景。 3. 传感器信号调理 - 在工业自动化或消费电子领域，该晶体管阵列可用于对传感器输出信号进行放大或调节。 - 常见应用包括温度传感器、压力传感器和光电传感器的信号处理。 4. 电源管理 - 可用于简单的稳压电路或多路电源分配系统，通过调整晶体管的工作状态来控制电压或电流输出。 - 在某些情况下，也可以作为线性调节器的一部分，用于稳定负载电压。 5. 通信设备 - 在射频（RF）或低频通信模块中，该器件可用于信号调制、解调以及功率放大。 - 适用于短距离无线通信、数据传输或其他类似应用。 6. 测试与测量仪器 - 在示波器、逻辑分析仪或信号发生器中，该晶体管阵列可以用于信号生成、放大或缓冲。 - 提供高精度和稳定的性能，满足测试设备的需求。 7. 汽车电子 - 用于车载音响系统、灯光控制模块或仪表盘显示电路。 - 其紧凑的设计和可靠性使其适合在汽车环境中使用。 总结 NST3904DP6T5G 的晶体管阵列凭借其高性能参数和多通道特性，在消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域具有广泛的应用前景。具体选择时需根据实际电路需求，结合其电气特性和封装形式进行优化设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 40V 200MA SOT963两极晶体管 - BJT LESHAN DUAL NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NST3904DP6T5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NST3904DP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 其它名称 | NST3904DP6T5GOSDKR |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 封装/箱体 | SOT-963 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 420 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 40 at 0.1 mA at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 at 0.1 mA at 1 V, 70 at 1 mA at 1 V, 100 at 10 mA at 1 V, 60 at 50 mA at 1 V, 30 at 100 mA at 1 V |
| 系列 | NST3904DP6 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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