Datasheet下载- 型号： PIMT1,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PIMT1,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PIMT1,115价格参考。NXP SemiconductorsPIMT1,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PIMT1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PIMT1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia 的 PIMT1,115 是一款双极性晶体管（BJT）阵列，具体为双 NPN 晶体管，采用 SOT-363（SC-70-6）小型表面贴装封装，具有低饱和压降、高增益（hFE）、良好热稳定性及ESD防护（符合IEC 61000-4-2 Level 2）等特点。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的信号切换与逻辑电平转换：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中用于GPIO扩展、LED驱动或I²C总线缓冲； ✅ 电源管理中的多路负载开关控制：配合MCU实现两路独立的低压直流负载（如传感器、小功率指示灯、蜂鸣器）的通断控制； ✅ 接口保护与电平适配电路：在微控制器与外围器件（如编码器、按键矩阵、光电耦合器输入端）之间提供电流放大和电气隔离； ✅ 工业与家电中的简单数字信号放大/反相：适用于PLC模块、智能电表、白色家电控制板等对成本、尺寸和可靠性要求较高的场合。 该器件支持-55°C至+150°C工作温度范围，适合空间受限且需高可靠性的消费类及工业级应用。注意：PIMT1,115 非功率器件，不适用于大电流（连续IC >100mA）或高频开关（fT≈150MHz，但阵列结构限制高频性能），设计时需按数据手册降额使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 40V 100MA 6TSOP两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PIMT1,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PIMT1,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 568-11271-6 |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | * |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SOT-457 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 600 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 120 at 1 mA at 6 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 at 1 mA at 6 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | PIMT1 T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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