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  • 型号: PIMT1,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PIMT1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PIMT1,115价格参考。NXP SemiconductorsPIMT1,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PIMT1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PIMT1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PIMT1,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列,主要用于信号处理和控制电路中的开关与放大功能。以下是其主要应用场景:

 1. 信号切换与控制
   - PIMT1,115 可用于多路信号切换,例如音频、视频或数据信号的路由选择。
   - 在工业自动化中,可用于控制继电器、小型电机或其他低功率设备。

 2. 驱动应用
   - 该器件适合驱动 LED、小型步进电机或电磁阀等负载。
   - 在汽车电子中,可用于控制仪表盘指示灯或传感器信号的传输。

 3. 放大器电路
   - PIMT1,115 可用作小信号放大器的核心元件,适用于音频前置放大器或传感器信号放大的场景。
   - 在多通道系统中,可同时对多个信号进行放大处理。

 4. 逻辑电平转换
   - 由于其阵列结构,PIMT1,115 可用于将低电压逻辑信号转换为高电压驱动信号,适用于接口电路设计。

 5. 消费电子产品
   - 在家用电器(如遥控器、玩具、音响设备)中,PIMT1,115 可用于信号处理和控制模块。
   - 在便携式设备中,可用于电池管理或电源监控电路。

 6. 测试与测量设备
   - 该晶体管阵列可用于构建多通道测试仪器,例如多路信号采集系统或示波器前端电路。

 7. 通信与网络设备
   - 在低功耗通信模块中,PIMT1,115 可用于信号调制、解调或驱动电路。

 总结
PIMT1,115 的阵列设计使其在多通道信号处理和控制应用中表现出色,适合需要小型化、高效能解决方案的场景。其具体应用取决于电路设计需求,但通常集中在信号切换、放大、驱动和逻辑电平转换等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL PNP 40V 100MA 6TSOP两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PIMT1,115-

数据手册

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产品型号

PIMT1,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 1mA,6V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

*

其它名称

568-11271-6

功率-最大值

600mW

包装

*

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

SOT-457

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

600 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

120 at 1 mA at 6 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

120 at 1 mA at 6 V

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

零件号别名

PIMT1 T/R

频率-跃迁

100MHz

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