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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PIMT1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PIMT1,115价格参考。NXP SemiconductorsPIMT1,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PIMT1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PIMT1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PIMT1,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列,主要用于信号处理和控制电路中的开关与放大功能。以下是其主要应用场景: 1. 信号切换与控制 - PIMT1,115 可用于多路信号切换,例如音频、视频或数据信号的路由选择。 - 在工业自动化中,可用于控制继电器、小型电机或其他低功率设备。 2. 驱动应用 - 该器件适合驱动 LED、小型步进电机或电磁阀等负载。 - 在汽车电子中,可用于控制仪表盘指示灯或传感器信号的传输。 3. 放大器电路 - PIMT1,115 可用作小信号放大器的核心元件,适用于音频前置放大器或传感器信号放大的场景。 - 在多通道系统中,可同时对多个信号进行放大处理。 4. 逻辑电平转换 - 由于其阵列结构,PIMT1,115 可用于将低电压逻辑信号转换为高电压驱动信号,适用于接口电路设计。 5. 消费电子产品 - 在家用电器(如遥控器、玩具、音响设备)中,PIMT1,115 可用于信号处理和控制模块。 - 在便携式设备中,可用于电池管理或电源监控电路。 6. 测试与测量设备 - 该晶体管阵列可用于构建多通道测试仪器,例如多路信号采集系统或示波器前端电路。 7. 通信与网络设备 - 在低功耗通信模块中,PIMT1,115 可用于信号调制、解调或驱动电路。 总结 PIMT1,115 的阵列设计使其在多通道信号处理和控制应用中表现出色,适合需要小型化、高效能解决方案的场景。其具体应用取决于电路设计需求,但通常集中在信号切换、放大、驱动和逻辑电平转换等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL PNP 40V 100MA 6TSOP两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PIMT1,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PIMT1,115 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | * |
其它名称 | 568-11271-6 |
功率-最大值 | 600mW |
包装 | * |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SOT-457 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
最大功率耗散 | 600 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 120 at 1 mA at 6 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 at 1 mA at 6 V |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
零件号别名 | PIMT1 T/R |
频率-跃迁 | 100MHz |