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Datasheet下载- 型号： PBSS5160PAP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBSS5160PAP,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5160PAP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5160PAP,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5160PAP,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 1A 125MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)。您可以下载PBSS5160PAP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5160PAP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.的PBSS5160PAP,115是一款双极结型晶体管（BJT）阵列器件，适用于多种电子电路设计。该器件采用多个晶体管集成在一个封装中，有助于减少PCB空间占用并提高系统可靠性。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和稳压电路，能够高效控制电流流动，适用于电池供电设备。 2. 电机控制：可用于驱动小型直流电机、步进电机或继电器，常见于工业自动化、机器人及家用电器中。 3. 信号处理与放大：适用于模拟信号放大和开关应用，如音频放大器前级、传感器信号调理电路。 4. 汽车电子：由于其高可靠性和良好的热稳定性，广泛用于车载电子系统，如车灯控制、电动窗驱动、车载充电模块等。 5. 嵌入式系统与工业控制：用于微控制器外围驱动电路，如驱动LED、继电器、MOSFET栅极等负载。 该器件采用TSSOP封装，适合表面贴装工艺，适用于自动化生产。其高增益、低饱和压降和良好热性能，使其在高效、紧凑型设计中具有优势。 综上，PBSS5160PAP,115适用于需要多晶体管集成、空间受限、中低功率开关与放大的各类电子系统，尤其适合汽车、工业与消费类应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 60V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 60V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5160PAP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5160PAP,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 550mV @ 50maA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10207-1 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 125 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 1.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 245 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 170 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 125 mV |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | 125MHz |
