【未分类_NSS40300MDR2G】封装/厂家_NSS40300MDR2G中文资料_价格

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型号： NSS40300MDR2G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NSS40300MDR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS40300MDR2G价格参考。ON SemiconductorNSS40300MDR2G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NSS40300MDR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS40300MDR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为NSS40300MDR2G的晶体管属于安森美半导体（ON Semiconductor）的双极性晶体管（BJT）阵列产品。该器件内部通常包含多个BJT晶体管，常用于需要多路晶体管控制的电路设计中。

其主要应用场景包括：

1. 逻辑电平转换与缓冲：适用于数字电路中的信号转换和驱动，如微控制器与外围设备之间的接口电路。

2. 开关电源与DC-DC转换器：可用于高频开关电路中，作为功率开关或驱动元件，提升转换效率。

3. 马达驱动与继电器控制：在工业自动化、家电控制中用作小功率马达或继电器的驱动单元。

4. LED照明驱动：用于LED背光、指示灯或照明系统的电流控制与开关操作。

5. 放大器电路：适用于低频模拟信号的前置放大或驱动放大环节。

6. 消费类电子产品：如手机、平板电脑、智能穿戴设备中的电源管理与信号处理模块。

该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，且具有良好的热稳定性和可靠性，适用于多种通用与高性能电子系统。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS DUAL PNP 40V 3A 8SOIC两极晶体管 - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS40300MDR2G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NSS40300MDR2G
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	170mV @ 200mA，2A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	180 @ 1A，2V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	8-SOIC N
功率-最大值	653mW
包装	带卷（TR）
发射极-基极电压VEBO	7 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	100 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8 Narrow
工厂包装数量	2500
晶体管极性	PNP
晶体管类型	2 PNP（双）
最大功率耗散	783 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	3 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,500
电压-集射极击穿（最大值）	40V
电流-集电极(Ic)（最大值）	3A
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	250 at 10 mA at 2 V
直流集电极/BaseGainhfeMin	250 at 10 mA at 2 V, 220 at 500 mA at 2 V, 180 at 1 A at 2 V, 150 at 2 A at 2 V
系列	NSS40300MD
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	40 V
集电极—基极电压VCBO	40 V
频率-跃迁	100MHz