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Datasheet下载- 型号： SI2302-TP
- 制造商： MCC
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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SI2302-TP产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2302-TP由MCC设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2302-TP价格参考。MCCSI2302-TP封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 3A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23。您可以下载SI2302-TP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2302-TP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Micro Commercial Co |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Micro Commercial Components (MCC) SI2302-TP- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2302-TP |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 237pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 72 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24932 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | SI2302-TPMSCT |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Micro Commercial Components (MCC) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 110 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 8.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 系列 | SI2302 |
