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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为 SPP80N06S2L-05 的 MOSFET 属于高性能功率场效应晶体管,广泛应用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电力电子系统中。 该器件的典型应用场景包括: 1. 电源管理系统:适用于服务器、通信设备和工业电源中的DC-DC转换器,提供高效稳定的电能转换。 2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)或永磁同步电机(PMSM)的控制电路中,适用于电动工具、家电和工业自动化设备。 3. 电池管理系统(BMS):在电动汽车(EV)或储能系统中,作为高侧或低侧开关,实现电池充放电控制与保护。 4. 负载开关与热插拔应用:用于服务器和电信设备中,实现对热插拔模块的电源控制,防止电流冲击。 5. 逆变器系统:适用于小型逆变器、UPS(不间断电源)等设备,提升系统整体效率与功率密度。 其低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和优化的封装设计,使其在高频率、高效率开关应用中表现出色,是工业与汽车电子领域的优选器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPP_B_80N06S2L-05_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b431f7f25697&fileId=db3a304412b407950112b431f8655698 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SPP80N06S2L-05 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7530pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 230nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.8 毫欧 @ 80A,10V |
| 供应商器件封装 | P-TO220-3 |
| 其它名称 | SP000012474 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |