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IRLL024NTRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL024NTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL024NTRPBF价格参考。International RectifierIRLL024NTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 55V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223。您可以下载IRLL024NTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLL024NTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRLL024NTRPBF 是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的FET(场效应晶体管)类别。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性,适用于多种中低功率电源管理与控制场景。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效的电压转换,适用于适配器、充电器等设备。 2. 电池供电系统:在便携式设备如笔记本电脑、移动电源中用作负载开关或电池保护电路,有效降低功耗并提升能效。 3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制,常见于家用电器、电动工具和汽车电子系统中。 4. 照明控制:用于LED驱动电路,支持脉宽调制(PWM)调光,实现高效稳定的亮度调节。 5. 工业控制与消费电子:可用于继电器驱动、电源开关、过流保护电路等,具备良好的可靠性和耐用性。 IRLL024NTRPBF采用TO-252(DPAK)封装,便于散热和PCB安装,适合自动化生产。其符合RoHS标准,无铅环保,适用于对环保要求较高的产品设计。综合来看,该MOSFET是一款性价比高、应用广泛的功率开关器件,特别适合需要高效、紧凑设计的中低功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223MOSFET MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.4 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLL024NTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLL024NTRPBF |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 10.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 3.1A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | *IRLL024NTRPBF |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.1A (Ta) |