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产品简介:
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NTMFS4937NCT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。其应用场景广泛,适用于多种电力电子系统中需要高效开关和低功耗的场合。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 NTMFS4937NCT1G 适合用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器以及开关模式电源(SMPS)。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少导通损耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动中,该 MOSFET 可用作开关元件,实现高效的 PWM 控制。其快速开关速度和低损耗特性有助于降低电机驱动系统的发热问题。 3. 负载开关 由于其低导通电阻和高可靠性,NTMFS4937NCT1G 可作为负载开关应用于消费电子产品、工业设备及通信设备中,用于动态控制电路的通断。 4. 电池保护与管理 在锂电池或其他可充电电池组中,该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护及充放电路径控制,确保电池系统的安全性和稳定性。 5. 逆变器与太阳能微逆变器 在小型逆变器或太阳能微逆变器中,该器件可用于功率级开关,支持将直流电转换为交流电的应用需求。 6. 汽车电子 在车载电子系统中,如车窗升降器、座椅调节器或冷却风扇控制等,NTMFS4937NCT1G 可提供稳定可靠的开关性能,同时满足汽车环境对耐久性的要求。 7. LED 驱动 用于 LED 照明驱动电路中,作为电流调节开关,确保 LED 的亮度一致性和节能效果。 8. 信号切换 在高频信号切换应用中,例如数据通信或测试测量设备中,该 MOSFET 的快速开关特性和低电容特性使其成为理想选择。 总之,NTMFS4937NCT1G 凭借其高性能参数(如低 Rds(on)、高工作频率和良好的热性能),在需要高效能、低功耗和高可靠性的场景中具有广泛应用价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTMFS4937NCT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2516pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
功率-最大值 | 920mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.2A (Ta) |