Datasheet下载- 型号： FDD86113LZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD86113LZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD86113LZ价格参考￥2.29-￥2.29。Fairchild SemiconductorFDD86113LZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD86113LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD86113LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD86113LZ 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的性能参数，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用场景： 1. 电源管理 FDD86113LZ 适合用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器以及开关模式电源（SMPS）。其低导通电阻特性能够减少功率损耗，提高效率，特别适用于笔记本电脑适配器、消费电子产品及工业设备中的电源管理系统。 2. 电机驱动 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制。其快速开关能力和低损耗特性使其成为家电、电动工具和自动化设备的理想选择。 3. 负载开关 在需要动态控制电流流动的系统中，例如 USB 充电端口保护、电池管理系统（BMS）或负载切换应用，FDD86113LZ 可以用作高性能负载开关，确保低功耗和高可靠性。 4. 通信设备 在基站、路由器和其他通信设备中，这款 MOSFET 可用于信号调理、功率分配和热插拔保护等场景，保障系统的稳定运行。 5. 汽车电子 尽管 FDD86113LZ 并非专门针对汽车级设计，但其性能特点也适用于某些非关键车载应用，如车灯控制、风扇驱动或辅助电子模块。 6. 太阳能逆变器 在微型逆变器或优化器中，该器件可以参与能量转换过程，帮助实现高效的能量传输。 总结来说，FDD86113LZ 的核心优势在于其低 Rds(on) 和高效率，因此广泛应用于需要高性能功率开关的场合，包括消费类电子产品、工业设备、通信基础设施以及轻型汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD86113LZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD86113LZ |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 104 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 104 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 285pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 104 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | FDD86113LZ-ND |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.2A （Ta）， 5.5A （Tc） |
| 系列 | FDD86113LZ |
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