图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRFU024NPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFU024NPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU024NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU024NPBF价格参考¥1.65-¥1.76。International RectifierIRFU024NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) IPAK(TO-251)。您可以下载IRFU024NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU024NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFU024NPBF是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):IRFU024NPBF适用于各种开关电源设计,如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性可降低功耗,提高效率。
   - 电压调节模块 (VRM):用于计算机主板、显卡等设备中的电压调节电路,提供稳定的电流输出。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:适用于家用电器(如风扇、吸尘器)、电动工具(如电钻、电锯)中的电机驱动电路。
   - H桥和半桥电路:在需要双向控制的电机应用中,该MOSFET可以用作开关元件。

 3. 负载切换
   - 负载开关:在汽车电子、工业控制和消费电子产品中,用于快速、高效地切换负载。
   - 继电器替代:由于其高可靠性和长寿命,可以替代传统机械继电器,用于频繁开关的应用场景。

 4. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池保护电路:用于锂电池、铅酸电池等的充放电保护电路中,防止过流、短路等问题。
   - 均衡电路:在多节电池串联的系统中,用于电池间的电量均衡。

 5. 逆变器和变频器
   - 光伏逆变器:在小型太阳能发电系统中,作为功率转换的关键元件。
   - 变频控制器:用于空调、冰箱等家电的变频控制,实现节能和静音效果。

 6. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等。
   - LED照明驱动:用于汽车内外部LED灯的驱动电路,提供高效的电流控制。

 7. 其他应用
   - 信号放大:在某些低频信号放大电路中,可以用作放大元件。
   - 静电保护 (ESD):在需要高耐压的电路中,用作保护元件。

综上所述,IRFU024NPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和能源管理等领域,尤其适合需要高效功率转换和低损耗的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 17A I-PAKMOSFET MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

16 A

Id-连续漏极电流

16 A

品牌

International Rectifier

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU024NPBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFU024NPBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

38 W

Pd-功率耗散

38 W

Qg-GateCharge

13.3 nC

Qg-栅极电荷

13.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

75 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

75 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

370pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

75 毫欧 @ 10A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

*IRFU024NPBF

功率-最大值

45W

功率耗散

38 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

75 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

13.3 nC

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

16 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Tc)

闸/源击穿电压

20 V

IRFU024NPBF 相关产品

FDZ191P

品牌:ON Semiconductor

价格:

IRL540NSTRL

品牌:Infineon Technologies

价格:

STP18NM60N

品牌:STMicroelectronics

价格:

IXTH30N50L2

品牌:IXYS

价格:

IRFR3711TRPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

SI2318DS-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:¥1.38-¥3.66

FQD6N40TM

品牌:ON Semiconductor

价格:

STD30PF03L-1

品牌:STMicroelectronics

价格: