Datasheet下载- 型号： IRFH5006TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5006TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5006TRPBF价格参考。International RectifierIRFH5006TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH5006TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5006TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRFH5006TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类。其应用场景广泛，适用于多种电力电子设备和系统中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：IRFH5006TRPBF常用于开关电源中的功率开关，提供高效的电压转换。 - DC-DC转换器：在降压、升压或升降压转换器中，作为主开关或同步整流器件，实现高效率的能量转换。 - 电池充电器：用于锂离子电池或其他类型电池的充电电路中，控制充电电流和电压。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）：用于驱动小型无刷直流电机，特别是在消费电子、家用电器和工业自动化领域。 - 步进电机控制：在步进电机驱动电路中，作为功率级开关元件。 - 风扇和泵控制：应用于家用或工业用风扇、水泵等设备的电机驱动电路中。 3. 汽车电子 - 电动助力转向（EPS）：用于汽车电动助力转向系统的电机驱动。 - 车载充电器（OBC）：为电动汽车或混合动力汽车的电池充电提供高效功率转换。 - LED照明：在汽车LED灯驱动电路中，用于调节电流和亮度。 4. 消费电子 - 笔记本电脑适配器：在笔记本电脑电源适配器中，作为功率开关使用。 - 智能手机快充：支持快速充电技术的充电器中，作为核心功率开关。 - 音频放大器：在D类音频放大器中，作为输出级开关器件。 5. 工业应用 - 伺服驱动：用于工业伺服驱动器中，提供精确的电机控制。 - 可编程逻辑控制器（PLC）：在PLC的输入/输出模块中，用于信号隔离和功率切换。 - 太阳能逆变器：在小型太阳能逆变器中，用于将直流电转换为交流电。 6. 其他应用 - 固态继电器（SSR）：作为固态继电器的核心开关元件，实现无触点开关功能。 - 负载开关：在各种电子设备中，用于控制负载的通断。 - 保护电路：在过流保护、短路保护等电路中，作为关键开关元件。 总结 IRFH5006TRPBF凭借其低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和快速开关速度，非常适合需要高效功率转换和低损耗的应用场景。无论是消费电子、汽车电子还是工业领域，该型号都能满足多样化的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFNMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5006TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH5006TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 156 W |
| Pd-功率耗散 | 156 W |
| Qg-GateCharge | 69 nC |
| Qg-栅极电荷 | 69 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4175pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 功率耗散 | 156 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.1 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 69 nC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 92 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Ta）， 100A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5006pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5006pbf.spi |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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