Datasheet下载- 型号： ZXMN2F34FHTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN2F34FHTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN2F34FHTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN2F34FHTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN2F34FHTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN2F34FHTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN2F34FHTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） ZXMN2F34FHTA 的低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地处理高频开关操作，从而提高电源转换效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。通过控制栅极电压，可以实现对电机速度和方向的精确调节，广泛应用于家用电器、玩具、办公设备等场景。 3. 负载开关 在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，ZXMN2F34FHTA 可用作负载开关来管理不同电路模块的供电状态，以降低功耗并优化电池寿命。 4. 电池保护与管理 它可用于电池组的充放电保护电路中，防止过流、短路或过放电等情况发生。同时，其低导通电阻有助于减少电池电流路径上的压降，提高整体效率。 5. LED 驱动 对于 LED 照明应用，这款 MOSFET 可作为恒流源的一部分，确保 LED 在稳定的工作电流下运行，从而延长其使用寿命并保持亮度一致性。 6. 信号切换 在通信设备或工业控制系统中，ZXMN2F34FHTA 可用于信号切换，将不同的输入信号路由到相应的输出端口，而不会干扰其他电路部分。 7. 汽车电子 由于其出色的耐用性和可靠性，该器件也适合应用于汽车环境下的简单负载控制，例如车窗升降器、雨刷器或座椅加热系统等。 综上所述，ZXMN2F34FHTA 凭借其高性能参数和紧凑封装形式，在消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域都有广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN2F34FHTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN2F34FHTA |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 950 mW |
| Pd-功率耗散 | 950 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 4.2 ns |
| 下降时间 | 4.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 277pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXMN2F34FHTR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 9.9 ns |
| 功率-最大值 | 950mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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