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产品简介:
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安森美半导体(ON Semiconductor)的FQAF44N08是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压(80V)和大电流承载能力(44A),适用于多种电源管理和功率转换场景。 FQAF44N08的主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、同步整流器等,用于提高转换效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动:在电动工具、电动车或工业自动化设备中,作为电机控制电路中的开关元件。 3. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,保护电池组免受过流或短路损坏。 4. 负载开关:用于控制高功率负载的通断,如LED照明、加热元件等。 5. 逆变器和UPS系统:在不间断电源或太阳能逆变器中,作为功率开关实现电能转换。 6. 汽车电子:如车载充电器、起停系统或电动助力转向系统中的功率控制。 该MOSFET采用TO-263封装,支持表面贴装,适合高密度PCB布局,同时具备良好的热性能,适用于中高功率应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 35.6A TO-3PF |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQAF44N08 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1430pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 34 毫欧 @ 17.8A,10V |
供应商器件封装 | TO-3PF |
功率-最大值 | 83W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | SC-94 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35.6A (Tc) |