Datasheet下载- 型号： SI7107DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7107DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7107DN-T1-E3价格参考。VishaySI7107DN-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7107DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7107DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7107DN-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关效率。该器件常用于需要高效、小尺寸功率开关的场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛应用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的DC-DC转换器和负载开关，实现高效的电压调节与节能控制。 2. 电池供电系统：在电池管理系统（BMS）或手持设备中用于电源通断控制，因其低导通损耗可延长电池续航时间。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供快速响应和低功耗开关功能。 4. 热插拔电路：用于防止电路板带电插入时产生的浪涌电流，保护后级电路。 5. LED驱动：在中低功率LED照明或背光驱动中作为开关元件，实现精确控制。 6. 消费类电子产品：如家用电器、充电器、适配器等，用于功率开关和电源控制模块。 SI7107DN-T1-E3 采用小型 SOT-23 封装，节省PCB空间，适合高密度布局设计。其优异的热性能和可靠性也使其在工业控制和通信设备中得到应用。总体而言，该MOSFET适用于对效率、尺寸和可靠性要求较高的低压、中低电流开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8MOSFET 20V 15.3A 3.8W 10.8mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.8 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7107DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7107DN-T1-E3SI7107DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 450µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.8 毫欧 @ 15.3A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7107DN-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 270 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.8A （Ta） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7107DN-E3 |
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