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SI1470DH-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1470DH-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1470DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1470DH-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 5.1A(Tc) 1.5W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1470DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1470DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1470DH-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、智能手机、平板等便携设备中的电源开关和负载管理,具备低导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗和发热。 2. 电池供电系统:在电池保护电路中用作高侧或低侧开关,防止过流、短路或反向电流,提升系统安全性。 3. DC-DC 转换器与稳压器:用于同步整流或开关元件,提高转换效率,适合小功率电源模块设计。 4. 负载开关与电机控制:在小型电机、风扇或继电器驱动中实现快速开关控制,响应速度快、损耗低。 5. 工业自动化与消费电子:广泛应用于工业控制设备、传感器模块、LED 驱动等场景,满足高可靠性和小型化需求。 该器件采用小型封装(如 TSOP),适合高密度 PCB 布局,且具备良好的热稳定性,适用于中低功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6MOSFET 30V 4.0A 2.8W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?74277 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1470DH-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1470DH-T1-GE3SI1470DH-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 66 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 66 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 66 毫欧 @ 3.8A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
| 其它名称 | SI1470DH-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.1A (Tc) |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI1470DH-GE3 |