Datasheet下载- 型号： SI5404BDC-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5404BDC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5404BDC-T1-E3价格参考。VishaySI5404BDC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5404BDC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5404BDC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5404BDC-T1-E3 是一款N沟道增强型MOSFET，采用1.2mm×1.2mm小型DFN封装，具有低导通电阻（典型Rds(on)约17mΩ）、高效率和快速开关特性。该器件适用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备。 主要应用场景包括： 1. 移动设备电源管理：广泛用于智能手机、平板电脑中的电池电源开关、负载开关和DC-DC转换电路，帮助提升能效并延长续航时间。 2. 笔记本电脑与超极本：在电压调节模块（VRM）和电源轨切换中发挥关键作用，支持动态电源控制。 3. LED背光驱动：用于LCD屏幕的LED背光调光电路，实现精确的电流控制与低功耗运行。 4. 便携式消费类电子产品：如蓝牙耳机、智能手表等，因其小尺寸封装非常适合高密度PCB布局。 5. 电机驱动与负载开关：适用于微型电机控制、USB充电端口保护及热插拔电路，提供过流保护和软启动功能。 SI5404BDC-T1-E3具备优良的热性能和可靠性，工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），符合RoHS环保标准，适合工业级和消费级应用。其低栅极电荷和快速响应特性也使其在高频开关电源中表现优异。总体而言，该MOSFET特别适用于追求小型化、高效率和稳定性能的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8MOSFET 20 Volt 7.5 Amp 2.5W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73102 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5404BDC-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5404BDC-T1-E3SI5404BDC-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 5.4A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5404BDC-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI5404BDC-E3 |
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