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Datasheet下载- 型号： TK40P03M1(T6RSS-Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK40P03M1(T6RSS-Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK40P03M1(T6RSS-Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK40P03M1(T6RSS-Q)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK40P03M1(T6RSS-Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK40P03M1(T6RSS-Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK40P03M1(T6RSS-Q) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 P沟道功率MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。 该器件主要适用于以下场景： 1. 电源管理电路：如DC-DC转换器、同步整流器，用于提高能效和降低导通损耗。 2. 负载开关应用：用于控制电池供电设备的电源通断，如笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备。 3. 电机驱动与功率控制：适用于小型电机或继电器的驱动电路中，实现高效开关控制。 4. 汽车电子系统：如车载充电器、车身控制模块等对可靠性和效率有较高要求的场景。 5. 工业控制设备：如PLC、传感器模块、工业电源等，用于高效、高速的功率切换。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压与良好热性能，适合高频开关应用，有助于减小电路尺寸并提升整体效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK40P03M1点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK40P03M1(T6RSS-Q) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1150pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | DP |
| 功率-最大值 | 33W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Ta） |
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