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Datasheet下载- 型号： STD4N62K3
- 制造商： STMicroelectronics
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STD4N62K3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD4N62K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD4N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTD4N62K3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 620V 3.8A（Tc） 70W（Tc） DPAK。您可以下载STD4N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD4N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD4N62K3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： STD4N62K3具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（650V），非常适合用于开关电源中的高压开关应用，例如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动： 该MOSFET可以用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停、方向和速度。 3. 逆变器： 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，STD4N62K3可以用作功率开关，将直流电转换为交流电。 4. 负载开关： 由于其低导通电阻特性，该器件可用作高效负载开关，适用于需要频繁开启和关闭的电路。 5. 电池管理： 在电池充电或保护电路中，STD4N62K3可以用作开关或保护元件，防止过流、过压或短路。 6. 电磁阀控制： 该MOSFET适合用于控制电磁阀的通断，尤其是在需要承受较高电压的应用中。 7. LED驱动： 在大功率LED照明系统中，STD4N62K3可以用作电流调节开关，确保LED获得稳定的驱动电流。 8. 继电器替代方案： 由于其快速开关特性和可靠性，STD4N62K3可以用作固态继电器，替代传统机械继电器。 总之，STD4N62K3凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能，广泛应用于各种需要高效功率开关的场景，尤其是在工业控制、消费电子和汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAKMOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD4N62K3SuperMESH3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD4N62K3 |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.95 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.95 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 620 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 620 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 3 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 3 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.95 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-10648-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF248753?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Tc） |
| 系列 | STD4N62K3 |
| 配置 | Single |
