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Datasheet下载- 型号： STW43NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
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STW43NM60ND产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW43NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW43NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTW43NM60ND封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 255W（Tc） TO-247-3。您可以下载STW43NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW43NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STW43NM60ND是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，如DC-DC转换器、反激式变换器和正激式变换器。其高耐压（600V）和低导通电阻特性使其在高频开关应用中表现出色。 2. 电机驱动：可用于控制直流电机或无刷直流电机（BLDC），尤其是在需要高电压和高效能的应用中，例如家用电器、工业设备和电动工具。 3. 逆变器：适合用于太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，提供高效的功率转换和控制。 4. 负载开关：由于其低导通电阻和快速开关速度，STW43NM60ND可以作为高效负载开关使用，适用于需要频繁开启和关闭的电路。 5. 保护电路：可以用作过流保护或短路保护元件，确保系统在异常情况下安全运行。 6. 电池管理：在电池充电和管理系统中，该MOSFET可用于控制充电电流和保护电池免受过充或过放的影响。 7. 电磁兼容性（EMC）滤波器：在某些应用中，MOSFET可以用作滤波器的一部分，以减少电磁干扰。 STW43NM60ND的高击穿电压、低漏源导通电阻（Rds(on)）以及优化的开关性能，使其成为上述应用的理想选择。此外，其TO-220封装形式便于散热和安装，适合多种功率电子设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 35A TO-247MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
| Id-连续漏极电流 | 35 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW43NM60NDFDmesh™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW43NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 255 W |
| Pd-功率耗散 | 255 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 88 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 88 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4300pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 145nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 88 毫欧 @ 17.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-8461-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF208550?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
| 系列 | STW43NM60ND |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
