Datasheet下载- 型号： APT10035B2LLG
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT10035B2LLG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT10035B2LLG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT10035B2LLG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APT10035B2LLG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT10035B2LLG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
APT10035B2LLG 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）生产的一款功率 MOSFET 器件，属于晶体管中的场效应晶体管（FET）类别，具体为单个 MOSFET。 主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，因其高效率和快速开关特性，适合用于开关电源（SMPS）中。 2. 电机控制：可用于工业自动化设备、电动工具、电动车等电机驱动电路中，作为功率开关使用。 3. 照明系统：在LED照明、高亮度照明驱动电路中作为开关元件，具备良好的导通损耗和开关损耗表现。 4. 电池管理系统：应用于电池充放电控制、电池保护电路中，尤其适合高功率电池组管理。 5. 工业控制系统：用于各种工业设备中的功率控制模块，如继电器替代、负载开关、逆变器等。 6. 汽车电子：适合车载电源系统、车载充电器、车灯控制等应用，具备较高的可靠性和耐压能力。 该器件采用LL封装，具备良好的热性能和电流承载能力，适合高功率密度设计。适用于需要高效能、高稳定性的功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/123943-apt10035b2-lll-c-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APT10035B2LLG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | POWER MOS 7® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5185pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 186nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 14A，10V |
| 供应商器件封装 | T-MAX™ [B2] |
| 功率-最大值 | 690W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Tc） |
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