Datasheet下载- 型号： STP18NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP18NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP18NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTP18NM60ND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP18NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP18NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP18NM60ND 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS） - STP18NM60ND 的高电压耐受能力（600V）使其非常适合用于开关电源的设计中，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 - 它可以作为主开关管或同步整流管，用于提高电源效率和降低功耗。 2. 电机驱动 - 在工业自动化和家用电器中，该 MOSFET 可用于驱动中小型电机，如风扇、水泵或步进电机。 - 其低导通电阻（典型值为 1.35Ω）有助于减少发热并提高系统效率。 3. 逆变器 - 适用于太阳能微逆变器或其他小型逆变器应用，能够实现高效的直流到交流转换。 - 高击穿电压特性确保了在高压环境下的可靠运行。 4. 电池管理 - 在电池充电器或保护电路中，该器件可用作开关元件，控制电流流向以保护电池免受过充或过放的影响。 - 也可用于 UPS（不间断电源）系统中的切换功能。 5. 电子负载 - 在测试设备中，STP18NM60ND 可用作可调电子负载的一部分，吸收来自被测设备的功率。 6. 汽车电子 - 尽管不是车规级产品，但在某些非关键汽车应用中（如照明、座椅调节等），它也可以发挥作用。 - 适合需要高电压驱动的车载辅助设备。 7. 其他通用场景 - 包括继电器替代、固态继电器设计、LED 驱动以及任何需要高频开关或高效功率传输的应用。 总之，STP18NM60ND 凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及绿色能源等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-220MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDMesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP18NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP18NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 130 W |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 15.5 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 290 毫欧 @ 6.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13882-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 290 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 650 V |
| 漏极连续电流 | 13 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 系列 | STP18NM60ND |
| 配置 | Single |
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