ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > SIR800DP-T1-GE3
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SIR800DP-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR800DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR800DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR800DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR800DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR800DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR800DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗,提高系统效率。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的DC-DC转换器和电源开关,提供高效、紧凑的电源解决方案。 2. 负载开关:用于控制电源到不同负载的通断,如在服务器、通信设备和工业控制系统中实现电源隔离和节能管理。 3. 电池供电系统:因其低功耗特性,适合用于电池供电设备中的电源控制,延长电池使用寿命。 4. 电机控制与继电器驱动:可用于小型电机、继电器等感性负载的开关控制,具备良好的抗冲击能力。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性和效率有较高要求的汽车应用。 该MOSFET封装为TSOP,便于表面贴装,适合高密度PCB布局。设计时需注意其最大工作电压和电流限制,并配合合适的驱动电路以确保稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8MOSFET 20V 50A N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR800DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR800DP-T1-GE3SIR800DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 69 W |
| Pd-功率耗散 | 69 W |
| Qg-GateCharge | 89 nC |
| Qg-栅极电荷 | 89 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.6 V to 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.6 V to 1.5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5125pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 133nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR800DP-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.9 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 96 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 50 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR800DP-GE3 |