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  • 型号: FQA140N10
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQA140N10产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA140N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA140N10价格参考。Fairchild SemiconductorFQA140N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 140A(Tc) 375W(Tc) TO-3PN。您可以下载FQA140N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA140N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQA140N10 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下特性:耐压高达 100V,连续漏极电流可达 4.3A(在 25°C 下),并且采用了先进的 Trench 技术以实现低导通电阻(Rds(on) 典型值为 140mΩ)。这些特点使得 FQA140N10 在多种应用场景中表现出色,具体包括:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQA140N10 的高耐压和低导通电阻特性使其非常适合用作开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电压和电流的转换,广泛应用于适配器、充电器以及 DC-DC 转换器等设备。

 2. 电机驱动
   - 在小型电机驱动电路中,这款 MOSFET 可以作为功率开关来控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关能力和低损耗有助于提高系统效率并减少发热。

 3. 负载开关
   - 由于其低导通电阻和小封装尺寸(如 DPAK 或 SO-8 封装),FQA140N10 常被用于便携式电子设备中的负载开关应用,例如智能手机、平板电脑和其他电池供电设备。

 4. 逆变器
   - 在小型光伏逆变器或其他类型的逆变器中,FQA140N10 可用于将直流电转换为交流电。它的高效性能有助于提升逆变器的整体效率。

 5. 保护电路
   - FQA140N10 还可以用于过流保护、短路保护和热保护电路中。通过检测异常电流或温度,它可以迅速切断电路以防止损坏。

 6. 汽车电子
   - 在汽车电子领域,这款 MOSFET 可用于车身控制系统、LED 照明驱动、风扇控制以及其他需要高效功率切换的应用场景。

 总结
FQA140N10 凭借其出色的电气特性和可靠性,适用于各种工业、消费类和汽车电子应用。无论是需要高效功率转换还是精确电流控制的场合,这款 MOSFET 都能提供稳定且高效的解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 140A TO-3PMOSFET 100V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

140 A

Id-连续漏极电流

140 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA140N10QFET®

数据手册

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产品型号

FQA140N10

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

375 W

Pd-功率耗散

375 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

940 ns

下降时间

360 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

285nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 70A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3P

典型关闭延迟时间

350 ns

功率-最大值

375W

包装

管件

单位重量

6.401 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3PN-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

80 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

140A (Tc)

系列

FQA140N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQA140N10_NL

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