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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFSL23N15DPBF的MOSFET,属于功率场效应晶体管(FET),具有较高的效率和可靠性,广泛应用于多种电力电子系统中。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理:该MOSFET适用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等电源管理系统,用于高效地控制电流流动,提高能源利用率。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机控制电路中,该器件可作为开关元件使用,实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 汽车电子:由于其高耐压(150V)和较强电流承载能力(约23A),适用于汽车中的电动助力转向系统、车窗控制模块及LED照明驱动等场景。 4. 工业自动化设备:可用于PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器以及各类传感器供电模块中,提升系统响应速度与稳定性。 5. 消费类电子产品:如高端充电器、变频空调压缩机控制模块等需要高效能功率开关的场合。 该MOSFET采用DPAK封装,具备良好的热稳定性和耐用性,适合中高功率应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRFSL23N15DPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 14A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 其它名称 | *IRFSL23N15DPBF |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23A (Tc) |