【未分类_PSMN1R4-30YLDX】封装/厂家_PSMN1R4-30YLDX中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： PSMN1R4-30YLDX
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R4-30YLDX由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R4-30YLDX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R4-30YLDX封装/规格：未分类，暂无。您可以下载PSMN1R4-30YLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R4-30YLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN1R4-30YLDX 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用领域：

1. 开关电源 (SMPS)：  
   PSMN1R4-30YLDX 的低导通电阻特性使其非常适合用作开关电源中的功率开关，能够有效降低功耗并提高转换效率。它适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器以及电源模块等。

2. 电机驱动：  
   在小型电机控制中，这款 MOSFET 可用于驱动直流无刷电机 (BLDC) 或步进电机。其快速开关特性和低损耗有助于实现高效、可靠的电机控制。

3. 负载开关：  
   由于其低导通电阻和出色的热性能，PSMN1R4-30YLDX 常被用作负载开关，以控制电路中的电流流动。这种应用常见于消费电子产品、工业设备和汽车电子系统中。

4. 电池管理：  
   在电池管理系统 (BMS) 中，该 MOSFET 可用于保护电路，例如防止过流、短路或反向电压对电池的损害。它还支持高效的充电和放电控制。

5. 逆变器和变频器：  
   这款 MOSFET 的高频开关能力使其成为逆变器和变频器的理想选择，可用于太阳能逆变器、家电变频器等领域。

6. 汽车电子：  
   PSMN1R4-30YLDX 符合车规级要求（具体需参考数据手册），可应用于汽车电子系统，如电动助力转向 (EPS)、车载信息娱乐系统和 LED 照明驱动等。

7. 信号切换和放大：  
   在需要高速信号切换或小信号放大的场合，该器件也能提供稳定的表现。

总体而言，PSMN1R4-30YLDX 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备、汽车电子以及绿色能源等多个领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	PSMN1R4-30YLDX
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3840pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	54.8nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.42 毫欧 @ 25A， 10V
供应商器件封装	*
其它名称	934068236115
功率-最大值	166W
包装	*
安装类型	*
封装/外壳	*
标准包装	1,500
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A （Tmb）