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IRF740SPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF740SPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF740SPBF价格参考。VishayIRF740SPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF740SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF740SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF740SPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS):IRF740SPBF常用于开关电源中的开关管,能够高效地进行电压转换和调节,适用于各种直流-直流转换器。 2. 电机驱动:该器件可用于小型电机的驱动控制,例如风扇、泵或伺服电机等,提供高效的开关性能以控制电机的速度和方向。 3. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRF740SPBF可用作开关元件,将直流电转换为交流电。 4. 负载切换:在需要快速、可靠地切换高电流负载的应用中,如汽车电子设备或工业控制系统,此MOSFET可以实现负载的通断控制。 5. 电池管理:用于电池保护电路中,作为充放电控制开关,确保电池的安全运行并防止过充或过放。 6. 音频功放:在某些D类音频放大器设计中,IRF740SPBF可作为输出级开关管,提供高效率的音频信号放大。 7. 继电器替代:由于其低导通电阻和快速开关特性,它可以替代传统机械继电器,用于频繁开关操作的场合,提高系统可靠性和寿命。 8. LED驱动:在大功率LED照明应用中,该MOSFET可以用作PWM调光控制开关,调节LED亮度。 总之,IRF740SPBF凭借其良好的电气特性和稳定性,在众多需要高性能功率开关的应用领域中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 10A D2PAKMOSFET N-Chan 400V 10 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF740SPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF740SPBFIRF740SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 550 毫欧 @ 6A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF740SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 功率耗散 | 3.1 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 550 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 400 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |