Datasheet下载- 型号： SI4455DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4455DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4455DY-T1-E3价格参考￥4.29-￥4.68。VishaySI4455DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4455DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4455DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4455DY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理： 该器件适用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、负载开关和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性可降低功率损耗，提高效率。 2. 电池保护与管理： 在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，SI4455DY-T1-E3 可用于电池保护电路，实现过流保护、短路保护以及充放电控制。 3. 电机驱动： 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关功能，适合家用电器、玩具和自动化设备中的低功率电机控制。 4. 信号切换： 在通信和数据处理设备中，SI4455DY-T1-E3 可用作信号切换元件，支持高速开关操作，确保信号完整性。 5. 负载控制： 它可用于汽车电子系统中的负载控制，例如 LED 照明、风扇控制和其他外围设备的开关控制。其高可靠性和耐热性能使其适应严苛的工作环境。 6. 消费电子： 在音频设备、游戏机和其他消费电子产品中，该 MOSFET 可用于功率分配和保护电路，确保设备的安全运行。 7. 工业应用： 在工业自动化领域，SI4455DY-T1-E3 可用于传感器接口、继电器驱动和小型执行器控制等场景。 总之，SI4455DY-T1-E3 凭借其出色的电气特性和紧凑的封装设计，广泛应用于需要高效开关和低功耗的各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOICMOSFET 150V 8.9A 5.9W 295mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4455DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4455DY-T1-E3SI4455DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 295 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 295 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 95 ns, 28 ns |
| 下降时间 | 34 ns, 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 295 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns, 52 ns |
| 功率-最大值 | 5.9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4455DY-E3 |
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