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  • 型号: IRFD120PBF
  • 制造商: Vishay
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IRFD120PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD120PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD120PBF价格参考。VishayIRFD120PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRFD120PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD120PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的IRFD120PBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子场景。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS):IRFD120PBF适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器和开关模式电源中的高频开关应用。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高效率。

2. 电机驱动:该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制。其快速开关速度和低损耗特点非常适合电机调速和方向控制。

3. 电池管理:在电池保护和管理系统中,IRFD120PBF可以用作充放电控制开关,确保电池的安全运行并延长使用寿命。

4. 负载切换:在需要频繁切换负载的应用中,如汽车电子、工业自动化设备等,这款MOSFET能够可靠地控制负载的开启与关闭。

5. 逆变器:用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,作为关键的功率开关元件,实现直流到交流的转换。

6. 脉宽调制(PWM)控制器:在LED驱动器或音频放大器等需要精确电流控制的应用中,IRFD120PBF可以作为PWM控制器的一部分,提供稳定的输出。

7. 过流保护电路:利用其低导通电阻和高电流承载能力,设计过流保护电路以防止系统因异常电流而损坏。

总之,IRFD120PBF凭借其优良的电气性能和可靠性,在消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域都有广泛的应用前景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIPMOSFET 100V Single N-Channel HEXFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.3 A

Id-连续漏极电流

1.3 A

品牌

Vishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD120PBF-

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91128

产品型号

IRFD120PBF

Pd-PowerDissipation

1300 mW

Pd-功率耗散

1.3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

270 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

270 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

27 ns

下降时间

27 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

360pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

270 毫欧 @ 780mA,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-DIP,Hexdip,HVMDIP

其它名称

*IRFD120PBF

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

1.3W

功率耗散

1300 mW

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

270 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

4-DIP(0.300",7.62mm)

封装/箱体

HexDIP-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

1.3 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.3A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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