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  • 型号: FDMC86248
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMC86248产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC86248由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC86248价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC86248封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 3.4A(Ta) 2.3W(Ta),36W(Tc) Power33。您可以下载FDMC86248参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC86248 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33MOSFET N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.4 A

Id-连续漏极电流

3.4 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC86248PowerTrench®

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产品型号

FDMC86248

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.3 W

Pd-功率耗散

2.3 W

Qg-GateCharge

3.7 nC, 6.4 nC

Qg-栅极电荷

3.7 nC, 6.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

90 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

90 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

1.4 ns

下降时间

2.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

525pF @ 75V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 3.4A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power33

其它名称

FDMC86248DKR

典型关闭延迟时间

11 ns

功率-最大值

2.3W

包装

Digi-Reel®

单位重量

32.130 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

Power 33-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

10 S

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.4A (Ta)

系列

FDMC86248

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