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SI4472DY-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4472DY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4472DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4472DY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 7.7A(Tc) 3.1W(Ta),5.9W(Tc) 8-SO。您可以下载SI4472DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4472DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SI4472DY-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: 该器件适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)和负载开关等应用。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提高系统效率。 2. 电池管理: 在便携式设备(如笔记本电脑、平板电脑和智能手机)中,SI4472DY-T1-GE3可用于电池保护电路、充电控制和放电管理,确保电池的安全运行。 3. 电机驱动: 在小型电机驱动应用中,这款MOSFET可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。它适合用于风扇、泵和其他低功率电机驱动场景。 4. 信号切换: 该器件可以用于音频信号切换、数据信号隔离和通信接口切换等场景,提供快速、可靠的信号传输。 5. 负载开关: 在需要动态控制电路中负载电流的应用中,SI4472DY-T1-GE3可用作高效的负载开关,实现快速开启/关闭功能。 6. 汽车电子: 虽然该器件主要针对消费类和工业应用,但在某些低功率汽车电子模块中,也可以用作信号切换或小型负载控制。 7. 保护电路: 可用于过流保护、短路保护和热插拔保护电路,防止系统因异常情况而损坏。 总结来说,SI4472DY-T1-GE3凭借其低导通电阻、小封装尺寸(DFN2020-8L)和高可靠性,非常适合用于消费电子、通信设备、工业自动化和小型家电等领域中的高效开关和保护应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI4472DY-T1-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1735pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 5A,10V |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4472DY-T1-GE3CT |
功率-最大值 | 5.9W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.7A (Tc) |